東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 霜垣研究室 / SHIMOGAKI Lab., Dept. of Materials Engineering, The Univ. of Tokyo
研究設備 / Equipment
製膜装置（真空利用）/ Vapor deposition systems
Co&Co(W)化学気相成長装置
Chemical vapor deposition (CVD) system for cobalt (Co) and cobalt tungsten (CoW)
加熱した基板表面に反応性原料ガスを供給し基板表面に薄膜を堆積するコールドウォール装置
A vertical cold-wall reactor, in which reactive precursors are supplied onto the heated substrate to deposit thin films.
硬質セラミクス化学気相成長装置
Chemical vapor deposition (CVD) system for hard-coating materials
加熱した基板表面に反応性原料ガスを供給し基板表面に薄膜を堆積する円管型ホットウォール装置
A horizontal tubular hot-wall reactor, in which reactive precursors are supplied into a uniformly heated chamber compatible with multiple substrates.
Ru原子層堆積装置
Atomic layer deposition (ALD) system for Ru
基板表面に原料の吸着と還元をくりかえることにより1原子層ずつ薄膜を堆積する円管型ホットウォール装置
A vertical cold-wall reactor that enables sequential alternate dosing of reactive precursors and reducing agent to allow layer-by-layer growth.
SiC化学気相含浸装置
Chemical vapor infiltration (CVI) system for SiC
繊維などの3次元構造に反応性原料ガスを供給し反応物を析出させることにより空隙を充填する円管型ホットウォール装置
A horizontal tubular hot-wall reactor, in which reactive precursors are supplied into a uniformly heated chamber filled with ceramic fiber cloth.
Si炭化装置
Chemical vapor infiltration (CVI) system for SiC
基板を加熱しながらC原料を供給し、表面を炭化させる装置
A horizontal tubular hot-wall reactor, in which reactive precursors are supplied into a uniformly heated chamber filled with ceramic fiber cloth.
真空蒸着装置
Vacuum evaporation
真空中で金属などの原料を加熱して昇華させ基板表面に堆積させる装置
A chamber to deposit metal films by evaporating metal sources in vacuum.
分析装置 / Characterization tools
X線光電子分光
X-ray Photoelectron Spectroscopy; XPS, ULVAC-PHI 1600C
X線を試料に照射し、放出される光電子を検出することで組成・化学結合状態を分析する装置
A surface-sensitive analyzer to measure elemental composition and chemical state via X-ray beam incidence and photoelectron detection.
走査型電子顕微鏡
Scanning Electron Microscope; SEM, JEOL JSM-6340F
電子線を試料に照射し、放出される二次電子を検出することで微小試料を拡大観察する装置
An electron microscope to observe minute objects by scanning the surface with a focused beam of electrons.
原子間力顕微鏡
Atomic Force Microscopy; AFM, SII SPA-400
探針を試料表面に近付けた際に発生する原子間力を利用して表面形状などを分析する装置
An electron microscope to observe minute objects by scanning the surface with a focused beam of electrons.
急速熱処理装置
Rapid Thermal Anneal; RTA, ULVAC MILA-3000
短時間加熱で数分で数百度まで昇温し、熱処理する装置
A furnace that ramps up to several hundred degrees Celsius within several minutes.
オスミウムコーター
Osmium plasma coater, Filgen OPC60A
プラズマCVD法によりオスミウム金属薄膜を堆積する装置。SEM、XPS、AESなどの分析時に起こる帯電（チャージアップ）を防止するための前処理として使用する
A plasma-enhanced CVD (PE-CVD) system to form Os ultra-thin layer that prevents charge up during film characterization including SEM, XPS, and AES.
真空プローバー
Vacuum probe station
真空中や各種ガス雰囲気中での電気特性の温度依存性を調べるための装置
A probe station to measure I-V and C-V characteristics in a controlled environment under various temperature, pressure, and ambient conditions.
蛍光顕微鏡
Fluorescence microscope, NIKON Eclipse LV100
可視光源と近紫外光源をもつ光学顕微鏡であり、有機半導体材料の励起光などを観察する装置
An optical microscope with ultra-violet light in addition to a visible light source to evaluate fluorescence of organic substances.
フーリエ変換型赤外分光光度計
Fourier Transform Infrared Spectroscopy; FT-IR, Jasco FT-IR-610
試料に赤外光を照射し、分子の振動や回転運動にもとづき吸収された波長から、試料の化学構造や化学状態を解析する装置
A spectroscopic analyzer to measure chemical structure and chemical state from absorbance of incidental infrared light corresponding to vibration or rotation of molecules.
深い準位過渡分光
Deep Level Transient Spectroscopy; DLTS, Semilab DLS-83D
試料に赤外光を照射し、分子の振動や回転運動にもとづき吸収された波長から、試料の化学構造や化学状態を解析する装置
An analyzer to measure the energy level and concentration of carrier traps induced by crystal defects within depletion layers of semiconductors.
ホール効果測定装置
Hall effect measurement system
半導体試料に磁場をかけた際に発生するホール効果を利用してキャリアの種類や密度などを分析する装置
An analyzer to measure the carrier type and its density in semiconductors from Hall effect induced by the applied magnetic field.
オージェ電子分光 [学科共通機器]
Auger Electron Spectroscopy; AES [department shared], ULVAC-PHI SAM650
試料に電子線を照射して放出されるオージェ電子のエネルギースペクトルを解析して物質表面に存在する元素を分析する装置
A surface-sensitive analyzer combined with SEM to measure elemental composition of a minute surface area via electron beam incidence and Auger electron detection.