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ごあいさつ

「薄膜プロセスが次世代を切り開く」

 時代の進展とともに化学技術が発展し、従来製品はますます高度化し、一方で新たな機能をもつ製品が台頭するこの循環は未来永劫続くものと思われる。従来物質の特性向上や新規物質の創成などマテリアル工学はこの流れの未来を大きく左右する。材料の研究は新しい物質を創成することと思われている方も多いが、その作り方(プロセス)と密接に関わっていることが多い。このことは、2000℃/1万気圧の地層中で生成されるダイヤモンドは、化学気相成長法(Chemical Vapor Deposition; CVD)を使うと、数百度/大気圧でも形成できることからも理解できるであろう。

 当研究室は材料形成プロセスの中でも薄膜形成プロセスに着目し、プロセスの高度化や新規プロセスの提案を行っている。我々はこれを「デバイスプロ セス工学」と命名し、プロセスの体系的理解、さらにはプロセスパフォーマンスの向上を通じて、従来技術ではなし得なかった高い付加価値をもつ材料の創成に挑んでいる。詳しくは「研究テーマ」をご覧ください。

NEWS

  • 歓迎会を開催しました。
  • B4菅谷くん、有井くん、木下くんが研究室に配属されました。
  • M2の重田くんが加わりました。劉くんが研究生として加わりました。
  • 豊倉くん、中くん、佐藤くん、川村くん 卒業おめでとう。
  • 送別会を開催しました。
  • B4河村くんが第18回化学工学会学生発表会(浜松大会)にて優秀賞を受賞しました。
  • B4河村くん、佐藤くん卒論発表お疲れ様でした。      
  • D2豊倉くん修論発表お疲れ様でした。      
  • 百瀬のGaN-MOPVEの反応機構解析に関する論文がECS J. Solid State Sci. Technol.から出版されました。
  • あけましておめでとうございます。今年もよろしくお願いします。